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FDB86360_F085的图片

FDB86360_F085

单端场效应管

制造厂商：仙童半导体公司(Fairchild)-目前已被安森美收购

功能简述：MOSFET N-CH 80V 110A TO263

原厂封装：TO-263

优势价格，FDB86360_F085的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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FDB86360_F085的功能参数资料 - 仙童半导体公司(Fairchild)提供

原厂标准完整型号：FDB86360_F085

制造厂家名称：Fairchild Semiconductor

描述：MOSFET N-CH 80V 110A TO263

系列：PowerTrench

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：80V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：110A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：1.8 毫欧 @ 80A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：253nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：14600pF @ 25V

功率 - 最大值：333W

安装类型：表面贴装

封装样式：TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB

原厂封装：TO-263

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