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FDB86563_F085
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FDB86563_F085技术资料
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FDB86563_F085
FET - 单
制造厂商:
仙童半导体公司(Fairchild)-目前已被安森美收购
功能简述:
MOSFET N-CH 60V 110A TO-263
原厂封装:
TO-263-3,D2Pak
优势价格,FDB86563_F085的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
FDB86563_F085的功能参数资料 - 仙童半导体公司(Fairchild)提供
原厂标准完整型号: FDB86563_F085
制造厂家名称: Fairchild Semiconductor
功能总体简述: MOSFET N-CH 60V 110A TO-263
系列: PowerTrench
FET 类型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能: 标准
漏源极电压(Vdss): 60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 110A(Tc)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值): 1.8 毫欧 @ 80A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 163nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 10100pF @ 30V
功率 - 最大值: 333W
安装类型: 表面贴装
封装样式: TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB
原厂封装: D2PAK
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