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FDC6321C
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FDC6321C技术资料
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FDC6321C
场效应管阵列
制造厂商:
仙童半导体公司(Fairchild)-目前已被安森美收购
功能简述:
MOSFET N/P-CH 25V SSOT-6
原厂封装:
6-SSOT
优势价格,FDC6321C的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
FDC6321C的功能参数资料 - 仙童半导体公司(Fairchild)提供
原厂标准完整型号:FDC6321C
制造厂家名称:Fairchild Semiconductor
描述:MOSFET N/P-CH 25V SSOT-6
系列:-
FET 类型:N 和 P 沟道
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):25V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):680mA,460mA
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):450 毫欧 @ 500mA,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):2.3nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):50pF @ 10V
功率 - 最大值:700mW
安装类型:表面贴装
封装样式:SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
原厂封装:6-SSOT
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