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FDD3510H的图片

FDD3510H

场效应管阵列

制造厂商：仙童半导体公司(Fairchild)-目前已被安森美收购

功能简述：MOSFET N/P-CH 80V 4.3A/2.8A DPAK

原厂封装：TO-252-4L

优势价格，FDD3510H的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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FDD3510H的功能参数资料 - 仙童半导体公司(Fairchild)提供

原厂标准完整型号：FDD3510H

制造厂家名称：Fairchild Semiconductor

描述：MOSFET N/P-CH 80V 4.3A/2.8A DPAK

系列：PowerTrench

FET 类型：N 和 P 沟道

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：80V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：4.3A，2.8A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：80 毫欧 @ 4.3A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：18nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：800pF @ 40V

功率 - 最大值：1.3W

安装类型：表面贴装

封装样式：TO-252-5，DPak（4 引线 + 接片），TO-252AD

原厂封装：TO-252-4L

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