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FDG313N
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FDG313N技术资料
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FDG313N
单端场效应管
制造厂商:
仙童半导体公司(Fairchild)-目前已被安森美收购
功能简述:
MOSFET N-CH 25V 0.95A SC70-6
原厂封装:
SC-70-6
优势价格,FDG313N的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
FDG313N的功能参数资料 - 仙童半导体公司(Fairchild)提供
原厂标准完整型号:FDG313N
制造厂家名称:Fairchild Semiconductor
描述:MOSFET N-CH 25V 0.95A SC70-6
系列:-
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):25V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):950mA(Ta)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):450 毫欧 @ 500mA,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):2.3nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):50pF @ 10V
功率 - 最大值:480mW
安装类型:表面贴装
封装样式:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
原厂封装:SC-70-6
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