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FDG6335N
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FDG6335N技术资料
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FDG6335N
场效应管阵列
制造厂商：
仙童半导体公司(Fairchild)-目前已被安森美收购
功能简述：
MOSFET 2N-CH 20V 0.7A SOT-363
原厂封装：
SC-70-6
优势价格，FDG6335N的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
FDG6335N的功能参数资料 - 仙童半导体公司(Fairchild)提供
原厂标准完整型号：FDG6335N
制造厂家名称：Fairchild Semiconductor
描述：MOSFET 2N-CH 20V 0.7A SOT-363
系列：PowerTrench
FET 类型：2 个 N 沟道（双）
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：20V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：700mA
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：300 毫欧 @ 700mA，4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：1.4nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：113pF @ 10V
功率 - 最大值：300mW
安装类型：表面贴装
封装样式：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
原厂封装：SC-70-6
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