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FDMD82100L
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FDMD82100L技术资料
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FDMD82100L
场效应管阵列
制造厂商:
仙童半导体公司(Fairchild)-目前已被安森美收购
功能简述:
MOSFET 2N-CH 100V 7A 6-MLP
原厂封装:
原厂封装
优势价格,FDMD82100L的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
FDMD82100L的功能参数资料 - 仙童半导体公司(Fairchild)提供
原厂标准完整型号:FDMD82100L
制造厂家名称:Fairchild Semiconductor
描述:MOSFET 2N-CH 100V 7A 6-MLP
系列:PowerTrench
FET 类型:2 个 N 沟道(双)
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):100V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):7A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):19.5 毫欧 @ 7A, 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):24nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1585pF @ 50V
功率 - 最大值:1W
安装类型:表面贴装
封装样式:12-PowerWDFN
原厂封装:*
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