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FDMD8260LET60
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FDMD8260LET60技术资料
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FDMD8260LET60
FET - 阵列
制造厂商:
仙童半导体公司(Fairchild)-目前已被安森美收购
功能简述:
MOSFET N-CH 60V
原厂封装:
*
优势价格,FDMD8260LET60的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
FDMD8260LET60的功能参数资料 - 仙童半导体公司(Fairchild)提供
原厂标准完整型号: FDMD8260LET60
制造厂家名称: Fairchild Semiconductor
功能总体简述: MOSFET N-CH 60V
系列: PowerTrench
FET 类型: 2 个 N 沟道(双)
FET 功能: 标准
漏源极电压(Vdss): 60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 15A
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): 5.8 毫欧 @ 15A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 68nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 5245pF @ 30V
功率 - 最大值: 1.1W
安装类型: *
封装样式: *
原厂封装: *
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