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FDMD86100
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FDMD86100技术资料
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FDMD86100
FET - 阵列
制造厂商：
仙童半导体公司(Fairchild)-目前已被安森美收购
功能简述：
MOSFET 2N-CH 100V
原厂封装：
8-PowerWDFN
优势价格，FDMD86100的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
FDMD86100的功能参数资料 - 仙童半导体公司(Fairchild)提供
原厂标准完整型号: FDMD86100
制造厂家名称: Fairchild Semiconductor
功能总体简述: MOSFET 2N-CH 100V
系列: PowerTrench
FET 类型: 2 个 N 沟道（双）
FET 功能: 标准
漏源极电压（Vdss）: 100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 10A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）: 10.5 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 30nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 2060pF @ 50V
功率 - 最大值: 2.2W
安装类型: 表面贴装
封装样式: 8-PowerWDFN
原厂封装: 8-PQFN（5x6）
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