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FDMD8900的图片

FDMD8900

FET - 阵列

制造厂商：仙童半导体公司(Fairchild)-目前已被安森美收购

功能简述：MOSFET 2N-CH 30V POWER

原厂封装：12-PowerWDFN

优势价格，FDMD8900的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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FDMD8900的功能参数资料 - 仙童半导体公司(Fairchild)提供

原厂标准完整型号: FDMD8900

制造厂家名称: Fairchild Semiconductor

功能总体简述: MOSFET 2N-CH 30V POWER

系列: -

FET 类型: 2 个 N 沟道（双）

FET 功能: 标准

漏源极电压（Vdss）: 30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 19A，17A

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）: 4 毫欧 @ 19A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 2.5mV @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 35nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 2605pF @ 15V

功率 - 最大值: 2.1W

安装类型: 表面贴装

封装样式: 12-PowerWDFN

原厂封装: 12-PQFN（3.3x5）

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