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FDMS3664S
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FDMS3664S技术资料
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FDMS3664S
场效应管阵列
制造厂商：
仙童半导体公司(Fairchild)-目前已被安森美收购
功能简述：
MOSFET 2N-CH 30V 13A/25A 8-PQFN
原厂封装：
8-PQFN
优势价格，FDMS3664S的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
FDMS3664S的功能参数资料 - 仙童半导体公司(Fairchild)提供
原厂标准完整型号：FDMS3664S
制造厂家名称：Fairchild Semiconductor
描述：MOSFET 2N-CH 30V 13A/25A 8-PQFN
系列：PowerTrench
FET 类型：2 N 沟道（双）非对称型
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：30V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：13A，25A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：8 毫欧 @ 13A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.7V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：29nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1765pF @ 15V
功率 - 最大值：1W
安装类型：表面贴装
封装样式：8-TDFN 裸露焊盘
原厂封装：8-PQFN
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