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FDMS3668S
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FDMS3668S技术资料
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FDMS3668S
场效应管阵列
制造厂商:
仙童半导体公司(Fairchild)-目前已被安森美收购
功能简述:
MOSFET 2N-CH 30V 13A/18A 8-PQFN
原厂封装:
8-PQFN
优势价格,FDMS3668S的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
FDMS3668S的功能参数资料 - 仙童半导体公司(Fairchild)提供
原厂标准完整型号:FDMS3668S
制造厂家名称:Fairchild Semiconductor
描述:MOSFET 2N-CH 30V 13A/18A 8-PQFN
系列:PowerTrench
FET 类型:2 N 沟道(双)非对称型
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):13A,18A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):8 毫欧 @ 13A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.7V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):29nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1765pF @ 15V
功率 - 最大值:1W
安装类型:表面贴装
封装样式:8-TDFN 裸露焊盘
原厂封装:8-PQFN
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