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FDN335N
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FDN335N
单端场效应管
制造厂商:
仙童半导体公司(Fairchild)-目前已被安森美收购
功能简述:
MOSFET N-CH 20V 1.7A SSOT3
原厂封装:
3-SSOT
优势价格,FDN335N的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
FDN335N的功能参数资料 - 仙童半导体公司(Fairchild)提供
原厂标准完整型号:FDN335N
制造厂家名称:Fairchild Semiconductor
描述:MOSFET N-CH 20V 1.7A SSOT3
系列:PowerTrench
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平栅极,2.5V 驱动
漏源极电压 (Vdss):20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):1.7A(Ta)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):70 毫欧 @ 1.7A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):5nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):310pF @ 10V
功率 - 最大值:460mW
安装类型:表面贴装
封装样式:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
原厂封装:3-SSOT
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