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FDN357N
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FDN357N技术资料
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FDN357N
单端场效应管
制造厂商：
仙童半导体公司(Fairchild)-目前已被安森美收购
功能简述：
MOSFET N-CH 30V 1.9A SSOT3
原厂封装：
3-SSOT
优势价格，FDN357N的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
FDN357N的功能参数资料 - 仙童半导体公司(Fairchild)提供
原厂标准完整型号：FDN357N
制造厂家名称：Fairchild Semiconductor
描述：MOSFET N-CH 30V 1.9A SSOT3
系列：-
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：30V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：1.9A（Ta）
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：60 毫欧 @ 2.2A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：5.9nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：235pF @ 10V
功率 - 最大值：460mW
安装类型：表面贴装
封装样式：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
原厂封装：3-SSOT
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