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FDN5618P
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FDN5618P技术资料
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FDN5618P
单端场效应管
制造厂商：
仙童半导体公司(Fairchild)-目前已被安森美收购
功能简述：
MOSFET P-CH 60V 1.25A SSOT3
原厂封装：
3-SSOT
优势价格，FDN5618P的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
FDN5618P的功能参数资料 - 仙童半导体公司(Fairchild)提供
原厂标准完整型号：FDN5618P
制造厂家名称：Fairchild Semiconductor
描述：MOSFET P-CH 60V 1.25A SSOT3
系列：PowerTrench
FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：60V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：1.25A（Ta）
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：170 毫欧 @ 1.25A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：13.8nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：430pF @ 30V
功率 - 最大值：460mW
安装类型：表面贴装
封装样式：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
原厂封装：3-SSOT
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