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FDN86501LZ
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FDN86501LZ技术资料
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FDN86501LZ
FET - 单
制造厂商：
仙童半导体公司(Fairchild)-目前已被安森美收购
功能简述：
MOSFET N-CH 60V 2.6A SSOT3
原厂封装：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
优势价格，FDN86501LZ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
FDN86501LZ的功能参数资料 - 仙童半导体公司(Fairchild)提供
原厂标准完整型号: FDN86501LZ
制造厂家名称: Fairchild Semiconductor
功能总体简述: MOSFET N-CH 60V 2.6A SSOT3
系列: PowerTrench
FET 类型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能: 标准
漏源极电压（Vdss）: 60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 2.6A（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）: 116 毫欧 @ 2.6A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 5.4nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 335pF @ 30V
功率 - 最大值: 600mW
安装类型: 表面贴装
封装样式: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
原厂封装: SuperSOT-3
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