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FDR838P
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FDR838P技术资料
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FDR838P
单端场效应管
制造厂商:
仙童半导体公司(Fairchild)-目前已被安森美收购
功能简述:
MOSFET P-CH 20V 8A SSOT-8
原厂封装:
8-SSOT
优势价格,FDR838P的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
FDR838P的功能参数资料 - 仙童半导体公司(Fairchild)提供
原厂标准完整型号:FDR838P
制造厂家名称:Fairchild Semiconductor
描述:MOSFET P-CH 20V 8A SSOT-8
系列:-
FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):8A(Ta)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):17 毫欧 @ 8A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):45nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):3300pF @ 10V
功率 - 最大值:900mW
安装类型:表面贴装
封装样式:8-SSOT,SuperSOT-8
原厂封装:8-SSOT
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