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FDR8508P的图片

FDR8508P

场效应管阵列

制造厂商：仙童半导体公司(Fairchild)-目前已被安森美收购

功能简述：MOSFET 2P-CH 30V 3A SSOT-8

原厂封装：8-SSOT

优势价格，FDR8508P的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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FDR8508P的功能参数资料 - 仙童半导体公司(Fairchild)提供

原厂标准完整型号：FDR8508P

制造厂家名称：Fairchild Semiconductor

描述：MOSFET 2P-CH 30V 3A SSOT-8

系列：PowerTrench

FET 类型：2 个 P 沟道（双）

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：30V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：3A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：52 毫欧 @ 3A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：12nC @ 5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：750pF @ 15V

功率 - 最大值：800mW

安装类型：表面贴装

封装样式：8-SSOT，SuperSOT-8

原厂封装：8-SSOT

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配

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单

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FDMS3615S

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