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FDS2170N3
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FDS2170N3技术资料
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FDS2170N3
单端场效应管
制造厂商：
仙童半导体公司(Fairchild)-目前已被安森美收购
功能简述：
MOSFET N-CH 200V 3A 8-SOIC
原厂封装：
8-SOIC
优势价格，FDS2170N3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
FDS2170N3的功能参数资料 - 仙童半导体公司(Fairchild)提供
原厂标准完整型号：FDS2170N3
制造厂家名称：Fairchild Semiconductor
描述：MOSFET N-CH 200V 3A 8-SOIC
系列：PowerTrench
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：200V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：3A（Ta）
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：128 毫欧 @ 3A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：36nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1292pF @ 100V
功率 - 最大值：1.8W
安装类型：表面贴装
封装样式：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）裸焊盘
原厂封装：8-SOIC
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