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FDS4935BZ
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FDS4935BZ技术资料
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FDS4935BZ
场效应管阵列
制造厂商:
仙童半导体公司(Fairchild)-目前已被安森美收购
功能简述:
MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8-SOIC
原厂封装:
8-SOIC
优势价格,FDS4935BZ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
FDS4935BZ的功能参数资料 - 仙童半导体公司(Fairchild)提供
原厂标准完整型号:FDS4935BZ
制造厂家名称:Fairchild Semiconductor
描述:MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8-SOIC
系列:PowerTrench
FET 类型:2 个 P 沟道(双)
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):6.9A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):22 毫欧 @ 6.9A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):40nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1360pF @ 15V
功率 - 最大值:900mW
安装类型:表面贴装
封装样式:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
原厂封装:8-SOIC N
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