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FDS86267P
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FDS86267P技术资料
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FDS86267P
FET - 单
制造厂商：
仙童半导体公司(Fairchild)-目前已被安森美收购
功能简述：
MOSFET P-CH 150V
原厂封装：
*
优势价格，FDS86267P的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
FDS86267P的功能参数资料 - 仙童半导体公司(Fairchild)提供
原厂标准完整型号: FDS86267P
制造厂家名称: Fairchild Semiconductor
功能总体简述: MOSFET P-CH 150V
系列: PowerTrench
FET 类型: MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能: 标准
漏源极电压（Vdss）: 150V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 2.2A（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）: 255 毫欧 @ 2.2A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 16nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 1130pF @ 75V
功率 - 最大值: 1W
安装类型: *
封装样式: *
原厂封装: *
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