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FDT86102LZ
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FDT86102LZ技术资料
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FDT86102LZ
单端场效应管
制造厂商:
仙童半导体公司(Fairchild)-目前已被安森美收购
功能简述:
MOSFET N-CH 100V 6.6A SOT-223
原厂封装:
SOT-223
优势价格,FDT86102LZ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
FDT86102LZ的功能参数资料 - 仙童半导体公司(Fairchild)提供
原厂标准完整型号:FDT86102LZ
制造厂家名称:Fairchild Semiconductor
描述:MOSFET N-CH 100V 6.6A SOT-223
系列:PowerTrench
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):100V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):6.6A(Ta)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):28 毫欧 @ 6.6A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):25nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1490pF @ 50V
功率 - 最大值:1W
安装类型:表面贴装
封装样式:TO-261-4,TO-261AA
原厂封装:SOT-223
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