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FQA8N100C的图片

FQA8N100C

单端场效应管

制造厂商：仙童半导体公司(Fairchild)-目前已被安森美收购

功能简述：MOSFET N-CH 1000V 8A TO-3P

原厂封装：TO-3PN

优势价格，FQA8N100C的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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FQA8N100C的功能参数资料 - 仙童半导体公司(Fairchild)提供

原厂标准完整型号：FQA8N100C

制造厂家名称：Fairchild Semiconductor

描述：MOSFET N-CH 1000V 8A TO-3P

系列：QFET

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：1000V（1kV）

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：8A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：1.45 欧姆 @ 4A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：70nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：3220pF @ 25V

功率 - 最大值：225W

安装类型：通孔

封装样式：TO-3P-3，SC-65-3

原厂封装：TO-3PN

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