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FQB6N25TM
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FQB6N25TM技术资料
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FQB6N25TM
单端场效应管
制造厂商：
仙童半导体公司(Fairchild)-目前已被安森美收购
功能简述：
MOSFET N-CH 250V 5.5A D2PAK
原厂封装：
D2PAK
优势价格，FQB6N25TM的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
FQB6N25TM的功能参数资料 - 仙童半导体公司(Fairchild)提供
原厂标准完整型号：FQB6N25TM
制造厂家名称：Fairchild Semiconductor
描述：MOSFET N-CH 250V 5.5A D2PAK
系列：QFET
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：250V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：5.5A（Tc）
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：1 欧姆 @ 2.75A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：8.5nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：300pF @ 25V
功率 - 最大值：3.13W
安装类型：表面贴装
封装样式：TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB
原厂封装：D2PAK
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