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FQB70N08TM
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FQB70N08TM技术资料
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FQB70N08TM
单端场效应管
制造厂商:
仙童半导体公司(Fairchild)-目前已被安森美收购
功能简述:
MOSFET N-CH 80V 70A D2PAK
原厂封装:
D2PAK
优势价格,FQB70N08TM的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
FQB70N08TM的功能参数资料 - 仙童半导体公司(Fairchild)提供
原厂标准完整型号:FQB70N08TM
制造厂家名称:Fairchild Semiconductor
描述:MOSFET N-CH 80V 70A D2PAK
系列:QFET
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):80V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):70A(Tc)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):17 毫欧 @ 35A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):98nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2700pF @ 25V
功率 - 最大值:3.75W
安装类型:表面贴装
封装样式:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB
原厂封装:D2PAK
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