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FQD2N60CTM_WS的图片

FQD2N60CTM_WS

单端场效应管

制造厂商：仙童半导体公司(Fairchild)-目前已被安森美收购

功能简述：MOSFET N-CH 600V 1.9A

原厂封装：D2PAK

优势价格，FQD2N60CTM_WS的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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FQD2N60CTM_WS的功能参数资料 - 仙童半导体公司(Fairchild)提供

原厂标准完整型号：FQD2N60CTM_WS

制造厂家名称：Fairchild Semiconductor

描述：MOSFET N-CH 600V 1.9A

系列：QFET

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：600V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：1.9A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：4.7 欧姆 @ 950mA，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：12nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：235pF @ 25V

功率 - 最大值：2.5W

安装类型：表面贴装

封装样式：TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB

原厂封装：D2PAK

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