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FQD2N80TM_WS的图片

FQD2N80TM_WS

单端场效应管

制造厂商：仙童半导体公司(Fairchild)-目前已被安森美收购

功能简述：MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK

原厂封装：D-Pak

优势价格，FQD2N80TM_WS的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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FQD2N80TM_WS的功能参数资料 - 仙童半导体公司(Fairchild)提供

原厂标准完整型号：FQD2N80TM_WS

制造厂家名称：Fairchild Semiconductor

描述：MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK

系列：QFET

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：800V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：1.8A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：6.3 欧姆 @ 900mA，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：15nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：550pF @ 25V

功率 - 最大值：2.5W

安装类型：表面贴装

封装样式：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

原厂封装：D-Pak

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