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FQD3N30TM
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FQD3N30TM技术资料
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FQD3N30TM
单端场效应管
制造厂商:
仙童半导体公司(Fairchild)-目前已被安森美收购
功能简述:
MOSFET N-CH 300V 2.4A DPAK
原厂封装:
D-Pak
优势价格,FQD3N30TM的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
FQD3N30TM的功能参数资料 - 仙童半导体公司(Fairchild)提供
原厂标准完整型号:FQD3N30TM
制造厂家名称:Fairchild Semiconductor
描述:MOSFET N-CH 300V 2.4A DPAK
系列:QFET
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):300V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):2.4A(Tc)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):2.2 欧姆 @ 1.2A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):7nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):230pF @ 25V
功率 - 最大值:2.5W
安装类型:表面贴装
封装样式:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
原厂封装:D-Pak
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