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FQE10N20LCTU
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FQE10N20LCTU价格
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FQE10N20LCTU技术资料
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FQE10N20LCTU
单端场效应管
制造厂商：
仙童半导体公司(Fairchild)-目前已被安森美收购
功能简述：
MOSFET N-CH 200V 4A TO-126
原厂封装：
TO-126
优势价格，FQE10N20LCTU的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
FQE10N20LCTU的功能参数资料 - 仙童半导体公司(Fairchild)提供
原厂标准完整型号：FQE10N20LCTU
制造厂家名称：Fairchild Semiconductor
描述：MOSFET N-CH 200V 4A TO-126
系列：QFET
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：200V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：4A（Tc）
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：360 毫欧 @ 2A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：19nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：490pF @ 25V
功率 - 最大值：12.8W
安装类型：通孔
封装样式：TO-225AA，TO-126-3
原厂封装：TO-126
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