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FQI2N30TU的图片

FQI2N30TU

单端场效应管

制造厂商：仙童半导体公司(Fairchild)-目前已被安森美收购

功能简述：MOSFET N-CH 300V 2.1A I2PAK

原厂封装：I2PAK

优势价格，FQI2N30TU的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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FQI2N30TU的功能参数资料 - 仙童半导体公司(Fairchild)提供

原厂标准完整型号：FQI2N30TU

制造厂家名称：Fairchild Semiconductor

描述：MOSFET N-CH 300V 2.1A I2PAK

系列：QFET

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：300V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：2.1A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：3.7 欧姆 @ 1.05A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：5nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：130pF @ 25V

功率 - 最大值：3.13W

安装类型：通孔

封装样式：TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA

原厂封装：I2PAK

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