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FQI2N30TU
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FQI2N30TU
单端场效应管
制造厂商:
仙童半导体公司(Fairchild)-目前已被安森美收购
功能简述:
MOSFET N-CH 300V 2.1A I2PAK
原厂封装:
I2PAK
优势价格,FQI2N30TU的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
FQI2N30TU的功能参数资料 - 仙童半导体公司(Fairchild)提供
原厂标准完整型号:FQI2N30TU
制造厂家名称:Fairchild Semiconductor
描述:MOSFET N-CH 300V 2.1A I2PAK
系列:QFET
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):300V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):2.1A(Tc)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):3.7 欧姆 @ 1.05A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):5nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):130pF @ 25V
功率 - 最大值:3.13W
安装类型:通孔
封装样式:TO-262-3,长引线,I2Pak,TO-262AA
原厂封装:I2PAK
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