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FQI9N08LTU
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FQI9N08LTU技术资料
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FQI9N08LTU
单端场效应管
制造厂商：
仙童半导体公司(Fairchild)-目前已被安森美收购
功能简述：
MOSFET N-CH 80V 9.3A I2PAK
原厂封装：
I2PAK
优势价格，FQI9N08LTU的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
FQI9N08LTU的功能参数资料 - 仙童半导体公司(Fairchild)提供
原厂标准完整型号：FQI9N08LTU
制造厂家名称：Fairchild Semiconductor
描述：MOSFET N-CH 80V 9.3A I2PAK
系列：QFET
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：80V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：9.3A（Tc）
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：210 毫欧 @ 4.65A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：6.1nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：280pF @ 25V
功率 - 最大值：3.75W
安装类型：通孔
封装样式：TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA
原厂封装：I2PAK
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