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FQP4N90C
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FQP4N90C技术资料
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FQP4N90C
单端场效应管
制造厂商:
仙童半导体公司(Fairchild)-目前已被安森美收购
功能简述:
MOSFET N-CH 900V 4A TO-220
原厂封装:
TO-220
优势价格,FQP4N90C的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
FQP4N90C的功能参数资料 - 仙童半导体公司(Fairchild)提供
原厂标准完整型号:FQP4N90C
制造厂家名称:Fairchild Semiconductor
描述:MOSFET N-CH 900V 4A TO-220
系列:QFET
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):900V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):4A(Tc)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):4.2 欧姆 @ 2A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):22nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):960pF @ 25V
功率 - 最大值:140W
安装类型:通孔
封装样式:TO-220-3
原厂封装:TO-220
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