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HGT1S7N60A4DS
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HGT1S7N60A4DS价格
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HGT1S7N60A4DS技术资料
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HGT1S7N60A4DS
单路IGBT
制造厂商:
仙童半导体公司(Fairchild)-目前已被安森美收购
功能简述:
IGBT 600V 34A 125W TO263AB
原厂封装:
TO-263AB
优势价格,HGT1S7N60A4DS的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
HGT1S7N60A4DS的功能参数资料 - 仙童半导体公司(Fairchild)提供
原厂标准完整型号:HGT1S7N60A4DS
制造厂家名称:Fairchild Semiconductor
描述:IGBT 600V 34A 125W TO263AB
系列:-
IGBT 类型:-
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):34A
Current - Collector Pulsed (Icm):56A
不同 Vge、Ic 时的 Vce(on):2.7V @ 15V,7A
功率 - 最大值:125W
Switching Energy:55μJ (开), 60μJ (关)
输入类型:标准
Gate Charge:37nC
25°C 时 Td(开/关)值:11ns/100ns
Test Condition:390V, 7A, 25 欧姆, 15V
反向恢复时间 (trr):34ns
封装样式:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB
安装类型:表面贴装
原厂封装:TO-263AB
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