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HGTD3N60C3S9A
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HGTD3N60C3S9A技术资料
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HGTD3N60C3S9A
单路IGBT
制造厂商:
仙童半导体公司(Fairchild)-目前已被安森美收购
功能简述:
IGBT 600V 6A 33W TO252AA
原厂封装:
D-Pak
优势价格,HGTD3N60C3S9A的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
HGTD3N60C3S9A的功能参数资料 - 仙童半导体公司(Fairchild)提供
原厂标准完整型号:HGTD3N60C3S9A
制造厂家名称:Fairchild Semiconductor
描述:IGBT 600V 6A 33W TO252AA
系列:-
IGBT 类型:-
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):6A
Current - Collector Pulsed (Icm):24A
不同 Vge、Ic 时的 Vce(on):2V @ 15V,3A
功率 - 最大值:33W
Switching Energy:85μJ (开), 245μJ (关)
输入类型:标准
Gate Charge:10.8nC
25°C 时 Td(开/关)值:-
Test Condition:480V, 3A, 82欧姆, 15V
反向恢复时间 (trr):-
封装样式:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
安装类型:表面贴装
原厂封装:D-Pak
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