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MMBFJ113
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MMBFJ113技术资料
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MMBFJ113
JFET结点场效应管
制造厂商:
仙童半导体公司(Fairchild)-目前已被安森美收购
功能简述:
JFET N-CH 35V 350MW SOT23
原厂封装:
SOT-23-3
优势价格,MMBFJ113的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
MMBFJ113的功能参数资料 - 仙童半导体公司(Fairchild)提供
原厂标准完整型号:MMBFJ113
制造厂家名称:Fairchild Semiconductor
描述:JFET N-CH 35V 350MW SOT23
系列:-
FET 类型:N 沟道
电压 - 击穿 (V(BR)GSS):35V
漏源极电压 (Vdss):-
不同 Vds (Vgs=0) 时的电流 - 漏极 (Idss):2mA @ 15V
漏极电流 (Id) - 最大值:-
不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):500mV @ 1μA
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):-
电阻 - RDS(开):100 欧姆
安装类型:表面贴装
封装样式:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
原厂封装:SOT-23-3(TO-236)
功率 - 最大值:350mW
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