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NDS8852H的图片

NDS8852H

场效应管阵列

制造厂商：仙童半导体公司(Fairchild)-目前已被安森美收购

功能简述：MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC

原厂封装：8-SOIC

优势价格，NDS8852H的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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NDS8852H的功能参数资料 - 仙童半导体公司(Fairchild)提供

原厂标准完整型号：NDS8852H

制造厂家名称：Fairchild Semiconductor

描述：MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC

系列：-

FET 类型：N 和 P 沟道

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：30V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：4.3A，3.4A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：80 毫欧 @ 3.4A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.8V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：25nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：300pF @ 15V

功率 - 最大值：1W

安装类型：表面贴装

封装样式：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

原厂封装：8-SOIC N

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