仙童半导体 - 双极性晶体管

仙童公司为您提供各种成熟的晶体管产品组合。根据应用需求，您的产品设计可能需要将通用的达林顿晶体管、RF晶体管、结型场效应晶体管(JFET)、内置偏置网络或低饱和晶体管组合使用。仙童的晶体管产品提供众多封装选项和配置。

仙童半导体 - 双极性晶体管产品

大功率BJT

达林顿(Darlington)晶体管

数字/偏压电阻晶体管

RF晶体管

小信号BJT

仙童半导体 - 二极管与整流器

无论您是在开发新设计、升级现有设计或是按照物料清单(BOM)进行采购，仙童均可为您提供行业标准的桥式整流器、双向开关二极管、肖特基二极管和整流器、小信号二极管、瞬态抑制二极管以及齐纳二极管。仙童半导体的产品实现了品质、特性与封装选项的最佳结合。

为什么选择仙童半导体的二极管和整流器

仙童是一家令人信服的分立式元器件供应商，提供高品质产品和颇具价值的工具与支持。

创新的产品和封装解决方案经过优化，可用于高效节能的设计。

采用MicroDIP封装的桥式整流器新产品系列具有1.45毫米的低封装高度。

肖特基整流器具有高反向电压(200V)，采用较小的表面贴装型封装。

仙童半导体 - IGBT

Fairchild的IGBT（绝缘栅型双极晶体管）具有更低导通损耗和开关损耗，可用于设计高效、高可靠性系统。Fairchild提供大量IGBT器件产品组合，按照工艺技术划分，包括从300V到大于1200V，按照封装划分，包括从裸片/晶圆到TO220、D2PAK、TO3PN、TO247、Power247和TO-264。经过优化的制造工艺能够实现高侧结构的更佳控制和可重复性，从而实现更严格的规格和更优的EMI性能。

仙童半导体的IGBT主要用于开关模式电源，其明确的设计目的就是成为市场上最快速、最高效的产品。Fairchild场截止(FS)技术能够实现高性能，同时不会降低可靠性或耐用性，仙童半导体致力于持续提高IGBT性能。仙童半导体的第四代技术开发支持卓越的平衡特性，以及比任何其他FSIGBT更强的动态闩锁耐用性。阅读白皮书，获取详细的分析和性能结果。

仙童半导体 - FET

仙童是电源供电和功率转换应用的MOSFET技术领导者。仙童半导体提供大量MOSFET器件产品组合，包括高压(>250V)和低压(<250V)以及多个范围的创新封装选项和强大的技术支持。越来越多的OEM选择仙童是因为仙童半导体能不断提供用于AC-DC和DC-DC设计的领先MOSFET技术。

仙童半导体先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，仙童半导体将其融入多个行业标准和热增强封装。这种能力实现了行业领先的功率密度（每平方厘米电路板上的安培数）以及出色的热性能。

仙童半导体的特色MOSFET技术包括：

平面：UniFETMOSFET

超级结：SuperFETIIMOSFETs

沟道：PowerTrenchMOSFETs

仙童半导体-电路保护

仙童半导体的电路保护技术组合建立在长期的基本技术突破之上，配合传统和新型解决方案和技术，帮助您开发更安全和更可靠的电子系统。通凭借长期开发突破性器件，以及在模拟功率、信号控制和高压市场上公认的执行能力，仙童具有IP和专业知识以提供电路保护解决方案，帮助解决您最棘手的设计挑战。仙童半导体的电路保护解决方案帮助保护便携电子、汽车信息娱乐、消费者电子和工业应用的电气系统。

为何选择仙童半导体的电路保护产品

仙童半导体通过结合具有强大基础的传统解决方案提供创新性产品。通过快速增长的技术和IP管道，设施齐全的仙童半导体能够提供解决您最困难设计挑战的解决方案。仙童半导体提供强大的系统级别电气工程支持，包括在线工具、设计实验室、FAE和配备专业功率和模拟工程师的区域中心。仙童半导体致力于继续推进器件创新和产品组合扩张，开发解决方案应对新的趋势并满足新的需求。

仙童半导体的供应链广泛、具有多个来源并且很灵活；在全球的多个区域利用内部和外部的制造场景。在半导体供应商中，仙童的供应链持续排在前列。由于供应链优异表现而获得的行业荣誉包括来自伊顿亚太的2011年度最佳供应商奖。